Тенденции совершенствования МУМ направлены на снижение тока потребления (меньше 0,5 мА), повышение чувствительности (до индукций срабатывания/отпускания ±1 мТл) и повышение тока коммутации до 3 А и более. Не за горами дальнейшее повышение степени интеграции МЧЭ с целью увеличения количества магниточувствительных элементов в одном кристалле и в одном корпусе до шестнадцати и более. Это уже приведет к созданию многоканальных магнитоэлектронных устройств.

Использование КНИ технологических процессов даст возможность увеличить максимальную рабочую температуру ИС до +200 °C и более при значительном снижении тока потребления и себестоимости изготовления. Использование новых технологических процессов позволит уменьшить размер кристалла, следовательно, корпусы микросхем станут более тонкими и миниатюрными. Все это обеспечит дальнейшее расширение сфер применения МУМС и МЧМС, особенно в автомобильной и автотракторной технике, авиации, металлургии, в военной технике и других областях, подразумевающих сложные условия эксплуатации. Прогнозируемая наработка на отказ современных зарубежных МУМС превышает несколько миллионов часов (отечественных – не более 50 000 ч), что стимулирует использование таких схем в устройствах ввода информации ЭВМ и пультах управления ответственной аппаратуры.